| Leader | | | 00893nam##2200193ua#4500 |
| 001 | | | j00039751 |
| 003 | | | CRU |
| 005 | | | 25630214112655.8 |
| 008 | | | 630214s2559 th ## #000 0#tha#d |
| 100 | 0 | | $aนิรันดร์ วิทิตอนันต์. |
| 245 | 1 | 0 | $aผลของอัตราไหลแก๊สไนโตรเจนต่อโครงสร้างของฟิล์มบางวาเนเดียมไนไตรด์ที่เคลือบด้วยวิธีแอคทีฟดีซีแมกนีตรอนสปัตเตอริง = $bEffect of N2 gas flow rate on structure of VN thin films deposited by reactive DC magnetron sputtering method / $cนิรันดร์ วิทิตอนันต์ และสุรสิงห์ ไชยคุณ. |
| 246 | 3 | 1 | $aEffect of N2 gas flow rate on structure of VN thin films deposited by reactive DC magnetron sputtering method |
| 260 | | | $c2559. |
| 650 | | 4 | $aการเคลือบผิวเพื่อป้องกัน. |
| 650 | | 4 | $aฟิล์มบาง. |
| 650 | | 4 | $aวาเนเดียม. |
| 700 | 0 | | $aสุรสิงห์ ไชยคุณ. |
| 773 | 0 | # | $tวารสาร มทร.อีสาน ฉบับวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี $g ปีที่ 9, ฉบับที่ 2 (พ.ค.-ส.ค. 2559), หน้า 177-189 $x 1906-215X |
| 850 | | | $aCRU |